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10 Gbit/s 0.18pm CMOS光纤通信用数据判决
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2011-01-08
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介绍了采用TSMC公司0．18 Ixm CMOS工艺设计速率为10 Gbit／s的数据判决电路，
分析了数据判决电路的系统结构以及单元电路结构，给出了仿真结果。该电路采用+1．8 V电源供
电，功耗为102 mW，50 Q 负载上单端输出摆幅400 mV。整个芯片面积为0．80 mm×1．05 mm。
关键词：数据判决电路，光纤通信，CMOS，源极耦合FET逻辑(SCFL)
深亚微米CMOS工艺现在越来越多地应用于高性能的集成电路设计。与砷化镓或双极性硅工艺相比，CMOS工艺成本低、功耗低，适合大规模集成，因此，采用CMOS工艺设计高速数据判决电路具有很好的前景。本文介绍采用TSMC公司0．18 Ixm CMOS工艺进行用于光纤通信的10 Gbit／s数据判决电路的设计。
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