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生成任意量级偏置电流网络（第一部分）

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:212.21KB | 2022-11-03

杨静

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图1：灌电流网络 最终MOSFET（金氧半场效晶体管）源电压VS以及RSET电阻决定着各柱上的灌电流（sink current）；通过去除来自外部电流沉柱的反馈(即所有N>1)，已失去对VSN的直接控制。因此，RSETN必须精心选择以生成预期的任意第N个柱的灌电流，即ISINKN。仔细观察上面的图1，很容易得出定义偏置网络第N个柱电流与第1个柱电流的比值的等式…
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