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CMOS 源极电阻及其对源极跟随器增益的影响

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:101.01KB | 2022-11-18

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介绍介绍CMOS 源极跟随器是很难使用 CMOS 器件设计的器件,因为与双极结型晶体管 (BJT) 相比,CMOS 器件的跨导较低。因此,非常规跟随器必须设计成增益接近 1。相比之下,简单的共漏跟随器的增益远小于 1。但是,经过分析,您可以看到不仅跨导影响了增益放大器——随着半导体工艺的缩小和器件的缩小,源电阻 (R CMOS 源极跟随器是很难使用 CMOS 器件设计的器件,因为与双极结型晶体管 (BJT) 相比,CMOS 器件的跨导较低。因此,非常规跟随器必须设计成增益接近 1。相比之下,简单的共漏跟随器的增益远小于 1。但是,经过分析,您可以看到不仅跨导影响了增益放大器——随着半导体工艺的缩小和器件的缩小,源电阻 (R SS ) 也有助于降低增益。 ) 也有助于降低增益。增益测量增益测量图 1图 1中的电路显示了一个用于测量增益的简单共漏放大器。中的电路显示了一个用于测量增益的简单共漏放大器。图 1. 增益测量的测试电路。图 1. 增益测量的测试电路。图 2图 2显示了一个可以从图 1 电路中提取的小信号模型。显示了一个可以从图 1 电路中提取的小信号模型。图 2. 图 1 电路的小信号模型。图 2. 图 1 电路的小信号模型。从图 2 可以看出,一个简单的共漏极跟随器的增益 (G) 为:

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