人们解决半导体可靠性问题的努力在某种程度上遵从一种可预测周期,就像摩尔定律预测集成电路尺寸缩减的规律一样。例如,在业界采用VLSI工艺之后,引入了铝互连工艺以满足电路速度的要求。然后我们很快就发现了诸如电迁移等可靠性问题。在发现这些问题之后,我们不得不通过实验工作对电路性能下降的机理进行建模。在建立有关模型之后,工艺工程师又要采取措施优化新工艺的可靠性。随着技术的成熟,人们的研究重点又转向如何减少缺陷。随着ULSI工艺的引进,对新材料(例如应变硅、铜和低k互连介质)的可靠性研究又再次重复这一周期。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !