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除了氮化镓 快充技术还须关注哪些领域
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2023-02-22
刘洋
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氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因 而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降，转换效率高，也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比，GaN材料电子饱和 漂移速率更高，适合高频率应用场景，因而在电力电子应用中，GaN器件可以在MHz以上频率工作，大大减小了对外围电路中 电感器件的要求，从而可以成倍减少设备体积，减少铜等高成本原材料的用量，在开关电源应用上，明显优于硅器件。
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