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IGBT热模型基本原理及其建模方法

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.35 MB | 2023-02-22

李华

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随着电力电子功率模块不断的提高功率密度,缩小封装的体积,提高应用频率。半导体器件,尤其是以IGBT为代表的功率电 子器件面临的散热挑战日益提高,封装和散热成为电子产品设计的热门词汇。 在新能源电驱系统中,IGBT作为电驱系统中最为关键的功率器件,其工作的热稳定性成为评价电驱系统性能高低的关键。因 此,需要对其在不同工况下传热的过程以及影响作深入的研究。我们知道,在IGBT的封装模块内部厂商会集成测温的NTC用 于监控IGBT温度,但是该传感器一般封装在IGBT的陶瓷基板上,无法直接测量获得IGBT结温的温度。同时,由于NTC作为温 度传感器,具有一定的时间常数,该常数远大于IGBT晶元温度的上升速度,因此无法通过NTC的监控温度直接对IGBT的晶元 进行保护。

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