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FGL40N120AN-ASEMI大功率IGBT管

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.30 MB | 2023-02-23

李猛

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IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平 时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准 双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
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