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第一、二、三代半导体的发展

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.16 MB | 2023-02-27

时见栖鸦

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第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子 密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
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