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第三代半导体材料SIC MOSFET产品手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:7.45 MB | 2022-02-25

钱先生

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SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

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评论(3)
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林益梅 2022-06-11
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非常好的学习资料，谢谢分享 收起回复
ewaysqian 2022-04-18
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支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz） 收起回复
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