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伯恩半导体 MOSFETs SI2301S数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.85 MB | 2023-11-02

伯恩半导体
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类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：210mΩ@2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA 封装：SOT-23
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