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MDD MOSFETs SI2302S数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.22 MB | 2023-11-02

MDD辰达半导体
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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：48mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：160pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 封装：SOT-23
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