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集成电路电磁辐射与数据相关性研究

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:334 KB | 2011-10-28

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为了减少集成电路密码芯片工作时的电磁信息泄漏，设汁具有防护能力的加密芯片。在研究CMOS集成电路电磁辐射原理的基础上，分析了电磁辐射产生数据相关性的机理。以电偶极子为模型，简化了电磁计算的方法，对基本的CMOS电路工作过程进行分析。采用TSMC0．18工艺设计CMOS反相器，并对该反向器进行电磁辐射仿真。建立评估模型并对金属层电磁辐射的信息泄漏进行评估。结果表明，电路工作时NMOS金属层、PMOS金属层和输出线的金属层产生的电磁辐射均会导致信息泄漏，长度相等时，输出线金属层的电磁信息泄漏更强。
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