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MDD 快/超快恢复二极管 ES1D数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.33 MB | 2023-11-02

MDD辰达半导体
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二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tvj) 品质同 ES1DG 封装：SMA(DO-214AC)
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