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MDD 快/超快恢复二极管 ES1D数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.33 MB | 2023-11-02

MDD辰达半导体

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二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):950mV@1A 反向电流(Ir):5μA@200V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tvj) 品质同 ES1DG 封装:SMA(DO-214AC)

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