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PMP30446.1-采用标准 Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W高压降压 PCB layout 设计
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2024-05-19
李勇俊
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此参考设计将 450V 至 780V 的直流输入源转换为 1.5A、390V 非隔离式输出。由于其实际功率级仅使用标准的器件组件，该参考设计是 SiC FET 和 SiC 二极管降压转换器的替代解决方案。为了使用额定值为 600V 的器件，将输入源拆分，从而允许两个相同的降压级共用中心点。单个耦合电感 (1:1) 可自动平衡中心点。如果两个 FET 出现电压不均衡，或其栅极驱动延迟时间略有差异，两个小型串联电感器可限制每个分支的电流。在 CRM 模式（临界导通模式）下，该转换器可最大程度地降低开关损耗，从而在 450V 输入电压和满载条件下实现 99% 的峰值效率。
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