×

高压LDMOS场极板的分析与设计

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:217 KB | 2011-12-01

分享资料个

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术，对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化 厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析， 在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS，并对其具体参数进行了细致的模拟和分析。模拟结果表明， 双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了l 5．3％，导通电阻降低了l 7．1％ ，电流驱动能力也提高了8．5％ 。

下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !