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SiCOI MESFET的特性分析

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:416 KB | 2012-02-22

王兰

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使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。
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