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半导体实验
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1.。。.TITLE
2.。。.GRID DYSI=0.01，DPTH=2，YMAX=8
3.。。.SUBS ORNT=111，ELEM=P，CONC=1E15
4.。。.PRINT HEAD=Y
5.。。.PLOT TOTL=Y，WIND=8
6.。。.STEP TYPE=IMPL，ELEM=B，DOSE=1E14，AKEV=6
7.。。.END
1
步骤 # 1
离子注入（修改过的 PEARSON Ⅳ 型分布）
被注入的杂质类型 = BORON
被注入的杂质剂量 = 1.000000E+14
离子注入的能量 = 6.00000
射程 = 1.46380
标准偏差 = .144400
峰值浓度 = 4.222607E+18
表面杂质浓度 = -1.883426E+14 原子数 /CM］3
扩散 结深 I 扩散层 方块电阻
----------------------I---------------------------
6.596054E-02微米 I 7.203743E+06欧姆/方块
1.97534 微米 I 532.060 欧姆/方块
I 7654.71 欧姆/方块
净有效杂质浓度
在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数
在硅中的电荷 = 1.003965E+14 是 100. % 电荷总数
电荷总数 = 1.003965E+14 是 1.255E+04 % 初始电荷
初始电荷 = 8.000000E+11
平均化学浓度PHOSPHORUS
在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数
在硅中的电荷 = 8.000000E+11 是 100. % 电荷总数
电荷总数 = 8.000000E+11 是 100. % 初始电荷
初始电荷 = 8.000000E+11
平均化学浓度BORON
在二氧化硅中的电荷 = .000000 是 .000 % 电荷总数
在硅中的电荷 = 1.000001E+14 是 100. % 电荷总数
电荷总数 = 1.000001E+14 是 .000 % 初始电荷
初始电荷 = .000000
1
I 步骤 = 1 时间 = .0 分 钟 。
I
深 度 I 平衡浓度 （ LOG 原子数/CC ）
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