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基于补偿电路的SRAM读操作跟踪电路设计

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:2849KB | 2015-08-20

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在传统静态随机存储器（SRAM）读操作跟踪电路中，生产工艺和温度的偏差会直接影响到对SRAM中存储数据的正确读取。因此，在本文中，我们采用工艺拐点补偿和温度补偿的方法，设计出了新型SRAM读操作跟踪电路。
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