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高电压CMOS放大器利用单个IC实现高阻抗检测
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引言
电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表 （DVM） 采用 10M 电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。
解决方案是采用静电计配置的高阻抗放大器，因此来自测试节点的放大器输入电流就微乎其微。为使输入电流值尽可能低，传统上都把场效应晶体管 （FET） 用在这些电路的输入端。FET 一般是低电压器件，并会引起难以消除的电压失调不确定性。虽然具有包括 FET 输入的单片式放大器，但它们通常是非常低电压的器件 （特别是那些采用典型 CMOS 制作方法的放大器），因此其适用范围局限在高电压应用。可以考虑一下 LTC®6090，这是一款精度在 mV 以内并能处理超过 140VP-P 信号摆幅的 CMOS 放大器，非常适合于解决上述问题。
LTC6090 可轻松地解决高电压检测问题
LTC6090 在单个器件中整合了一组独特的特性。其 CMOS 设计特性在高输入阻抗和“轨至轨”输出摆幅中提供了极限，但与采用 5V 供电的典型 CMOS 器件不同，LTC6090 能采用高达 ±70V 电源运作。而且，该器件在小信号领域中也可占有一席之地，其具有低于 500µV 的典型 VOS 和 11nV/√Hz 的电压噪声密度，从而可提供惊人的动态范围。高压操作可能会带来显著的功耗，因此 LTC6090 提供了耐热性能增强型 SOIC 或 TSSOP 封装。这款器件具有过热输出标记和输出停用控制功能，因而无需额外的电路即可提供灵活的保护措施。
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