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Anti-Tamper Memory
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Anti-Tamper Memory
防篡改保护概述
电子系统通常携带敏感信息，如密码，个人数据，加密密钥，或IPS。攻击者试图通过进入系统访问这些数据。安全系统的设计，使授权访问通过密码输入，并采取行动，以保护宝贵的数据或破坏敏感数据的检测篡改企图。需要保护数据的系统的例子是安全摄像机或黑匣子记录器，其中存储的数据不应该被修改，和自动取款机或POS系统，个人数据不应该被允许访问。然而，它往往是一个挑战，破坏数据存储在低功耗存储设备。因为低功耗SRAM的设计具有低漏电流，它们能够保持数据即使在电源引脚电压。因此，移除或向地面短路是不够的，以损坏存储的数据。它需要在电源引脚上的负电压的应用，以节省在存储单元中的电荷。
一个理想的防篡改内存必须有密码输入功能，在篡改的情况下，它应该能够保护数据，而不允许未经授权的访问或自毁，这取决于应用程序的要求。它也必须快速，使破坏过程完成之前中断或进一步篡改。
nvSRAM – the solution
nvSRAM is a fast nonvolatile memory with an SRAM interface. The SRAM interface gives the nvSRAM a very high speed read and write access （down to 20 ns） and enables the nvSRAM to be infinitely written or read. If the power goes down， the data held in SRAM is transferred to the nonvolatile elements integrated with each SRAM cell using the charge stored in a small capacitor. On power up， the data is automatically transferred back to the SRAM. The parallel transfer of data from SRAM to the integrated nonvolatile elements means that the STORE （transfer of SRAM data to nonvolatile elements） takes time equivalent to only one EEPROM write operation. Store operation and recall （transfer of NV data to SRAM） operation can also be done through software commands.
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