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在CMOS工艺中I/O电路设计
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2017-09-07
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本文研究了在CMOS工艺中I/O电路的ESD保护结构设计以及相关版图的要求，其中重点讨论了PAD到VSS电流通路的建立。
图3是加入ESD电流通路的I/O电路，在图3所列的所有器件中，HBM模式下输出驱动上的N型MOS管（NMOS）是最容易受损坏的。因此下面会对输出驱动中NMOS管的ESD低阻旁路给出比较详细的介绍。
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