高性能静态CMOS技术:150MHz,低功耗(核电压1.8V,I/O口电压3.3V)兼容性好:C27x目标-兼容模式、C28x模式及C2xLP源-兼容模式
片内集成大容量存储器:最多128K字的Flash存储器、1K字的OTP型ROM、18K字RAM外部存储器接口EMIF:多达1MB的存储器、可编程软件等待状态、三个独立
的片选
两个事件管理器EVA、EVB。每个包含2个16位通用定时器、8个PWM通道、
3个捕获单元、QEP接口电路
12位ADC3个通用定时器TIMER0/1/28到16位可编程的SCI16位SPI多通道缓冲串行口(McBSP)增强型CAN控制器
最多56个通用
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