半绝缘半导体包含了第二代和第三代半导体,它们在微波、光电子、新能源及微电子领域有着广泛的应用,电阻率一般在10jn.cnl_1012n.crr‘i之间。要研究此类新材料的电阻率分布状况已无法用现有的探针法、霍尔法、I-V法实现。因此,参照德国din标准及我国电子行业标准,用TDCM法研发了“半绝缘半导体电阻率分布测绘仪”,设计并研制了电容性探头、高精度三维测试台,开发了以拟合曲线为基础的数据处理及绘图软件,实现了对直径6英寸以下SiC、CJ aAs、CdZnTe等晶片的无接触电阻率扫描测绘,给出了彩色分布图。
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