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最新研发电压型多值晶体管的结构
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2024-11-21
jf_67773122
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首先介绍一下 PN结原理，便于理解电压型多值晶体管原理。 简单地说，在一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是 P 型半导体，另一部分掺有施主杂质是 N 型半导体，P 型半导体和 N 型半导体的交界面附近的过渡区称为PN 结。在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。N 型半导体中有许多可运动的带负电荷电子和固定的正离子。在杂质半导体中，正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。 P 型半导体和 N 型半导体结合后，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差，N型区内的电子多、空穴少，P 型区内的空穴多、电子少，这样电子和空穴会从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，因此，有些电子从 N 型区向 P 型区扩散，也有一些空穴要从P 型区向N型区扩散。
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