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PESD5V0X2UMB超低电容单向双ESD保护二极管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:249.93KB | 2025-02-12

石飞鹏

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超低电容单向双静电放电 （ESD） 保护二极管，采用 DFN1006B-3（SOT883B）无引脚超小型表面贴装器件（SMD）塑料封装， 设计用于保护多达两条信号线免受 ESD 和其他瞬变造成的损坏。 2. 特点和优势 • 超低二极管电容：Cd = 0.50 pF • 超低封装高度，仅为 0.37 mm • 高达 10 kV 的 ESD 保护;国际电工委员会 61000-4-2 • IPPM = 1.5 安培;IEC 61000-4-5（浪涌） 3. 应用 • 高速数据线 • 便携式电子产品 • 通信系统 • 计算机和外围设备 
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