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中低压MOS管MDD02P60A数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:3.86 MB | 2025-07-09

MDD辰达半导体

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这款60V P沟道MOSFET采用MDD独特的器件设计,实现了低导通电阻、快速开关性能以及优异的雪崩特性。

• 高密度电池设计实现极低导通电阻(RDS(ON))  
• 卓越的导通电阻与最大直流电流承载能力

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