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中低压MOS管MDD3400数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.86 MB | 2025-07-10

MDD辰达半导体

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这款30V N沟道MOSFET采用MDD独特的器件设计，实现了低导通电阻、快速开关特性以及优异的雪崩耐量。

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