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中低压MOS管MDDG10R20D数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:4.89 MB | 2025-07-10

MDD辰达半导体

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• 最大导通电阻(RDS(on)) = 20mΩ（条件：栅源电压VGS = 10V，漏极电流ID = 20A）
• 100% 非钳位感性开关测试(UIS)合格
• 经测试具有极低反向恢复电荷(Qg)
• 符合RoHS环保标准

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