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低功耗辅助振荡器的晶振选择的详细中文手册

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.41 MB | 2018-05-25

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　　随着低功耗设计（包括电池供电设备）的不断发展，在设计低功耗振荡器方面已经取得了更大的成就。对于需要在所有状态 （包括休眠、深度休眠和 VBAT 模式）下保持 RTCC 的应用，辅助振荡器电路的电流消耗成为整个系统级应用设计的关键。由于辅助振荡器设计的改进， Microchip 单片机上的辅助振荡器已实现 400 nA （典型值）的振荡电流。这使得选择正确的晶振来匹配低功耗辅助振荡器更加重要。

　　本文档为 32 kHz 低功耗辅助振荡器的晶振选择提供相关指南。不应将本文档作为晶振选择的唯一标准。建议根据晶振供应商的产品特性选择振荡器。以下器件已实现本文档所阐述的特定低功耗振荡器：

　　• PIC24FJ128GA310 系列

　　• PIC24FJ128GC010 系列

　　• PIC24FJ128GA/GB204 系列

低功耗辅助振荡器的晶振选择的详细中文手册

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