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RFSW2100 GaN和SiC大功率离散RF开关的应用和资料免费下载

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.45 MB | 2018-07-25

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　　RFSW2100D是一种GaN-on-SiC大功率离散RF开关，设计用于军事和商业无线基础设施、工业/科学/医疗和通用宽带RF控制和交换应用。采用先进的高功率密度氮化镓（GaN）半导体工艺，RFSW2100D能够在30MHz至6GHz的宽带内实现低插入损耗和高隔离，并具有适当的芯片连接和散热，回波损耗优于10dB。RFSW2100D是一种SPDT RF开关，适合于在受控条件下具有55W CW输入功率压缩能力、VSWR（3:1）和25°C TCASE、热开关能力、以及0.34dB的插入损耗和37dB的2GHz小信号隔离的许多应用。


　　应用

　　军事通信

　　电子战

　　商业无线基础设施

　　蜂窝和WiMAX基础设施

　　民用和军用雷达

　　通用宽带

　　放大器

　　公共移动无线电

　　工业、科学和医学

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