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AVR 单片机与GCC 编程
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2010-04-09
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AVR 单片机与GCC 编程
2.1 AVR 单片机存储器组织结构
AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。
Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。由于 AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。其组织结构如图2-1 所示。
2.1 AVR 单片机存储器组织结构
AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。
Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。由于 AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。其组织结构如图2-1 所示。
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