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中红外激光功率密度探测单元的研制
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2010-04-28
王超
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中红外激光功率密度探测单元的研制
摘要:采用室温光导型ＨｇＣｄＴｅ探测器，研制了可用于中红外激光功率密度测量的探测单元，主要包括衰减片、探测器、放大电路、数据采集和信号处理５个部分。分析了室温中红外ＨｇＣｄＴｅ光电探测器的温度特性，并提出了探测器响应率温度自适应校正模型。该探测单元工作温度为－40～30℃，功率密度测量不确定度小于20%
关键词： ＨｇＣｄＴｅ探测器； 中红外激光； 温度； 自适应校正
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