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基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:222 | 2010-05-10

小组店小二

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英飞凌推出了第二代碳化硅（SiC）肖特基二极管——thinQ!2G™。该二极管是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN 结结构组成，因此具备更加强大的浪涌电流处理能力，同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。本文将论述该碳化硅肖特基二极管的一些基本属性。此外，还将详细阐述该二极管因融合了PN 结结构而实现的一些新特性。

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