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如何使用蓝牙系统的CMOS进行低噪声放大器的设计
深夏灬
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本文给出了一个利用中芯国际 0118Λm CM O S 工艺设计的用于蓝牙应用的单片低噪声放大器。放大器采用片内集成的螺旋电感实现单片集成的低噪声放大。在 118V 伏电源下， 工作电流为 2mA ， 在频率 214GH z 下功率增益大于 10dB， 输入反射小于- 20dB。
近年来， 随着特征尺寸的不断减小， 深亚微米 CM O S 工艺其 M O SFET 的特征频率已经达到 50GH z 以上， 使得利用 CM O S 工艺实现 GH z 频段的射频电路成为可能。由于无线接收机小型化和低价格的发展趋势， 推动着收发机射频电路和基带电路的单片集成， 在这方面硅工艺特别是 CM O S 工艺有很强的优势。利用 CM O S 工艺有可能将射频、中频以及基带部分的电路全部集成到一块芯片上。本文给出了利用中芯国际 0118Λm CM O S 工艺设计的蓝牙接收机中 R F 模块中的关键电路—低噪声放大器（L ow N o ise Am p lifier） 的设计。
超外差接收机是较为常用的射频接收机结构， 其电路框图如图 1 所示。
来自天线的高频信号通过低噪声放大器进行小信号放大， 并通过一个镜像滤波器滤波， 输出信号在下变频器中与本振信号混频得到一个中频信号， 通过一个通道选择滤波器后将中频信号选择出来。
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