搜索内容
登录
隔离器
关注
0
人关注
隔离器是一种采用线性光耦隔离原理，将输入信号进行转换输出。
NB7L14M 时钟/数据扇出缓冲器/转换器 2.5 V / 3.3 V 1：4差分 12 Gbps 带CML输出和内部终端
NB7L14M是一款差分1至4时钟/数据分配芯片，具有内部源端接和CML输出结构，针对低偏斜和最小抖动进行了优化。该器件分别产生两个相同的时钟或数据输出副本，
NB7L1008M 时钟/数据扇出缓冲器 1：8差分 带CML输出
NB7L1008M是一款高性能差分1：8时钟/数据扇出缓冲器。 NB7L1008M产生8个相同的时钟或数据输出副本，分别工作在6 GHz或10.7 Gb /
NB7VPQ16M 预加重铜缆/电缆驱动器 12.5 Gbps 可编程 1.8 V / 2.5 V 带可选均衡器接收器
NB7VPQ16M是一款高性能单通道可编程预加重CML驱动器，带有均衡器接收器，信号增强器，采用1.8 V或2.5 V电源，工作速率高达12.5 Gbps。当
NB7VQ1006M 扇出缓冲器 均衡器接收器 10 Gbps 1.8 V / 2.5 V 具有1：6差分CML输出
NB7VQ1006M是一款高性能EQualizer接收器（信号增强器），采用1.8 V或2.5 V电源，工作速率高达10 Gbps / 7.5 GHz。当与数
NB7VQ14M 时钟/数据CML扇出缓冲器 1：4差分 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V 8 GHz 14 Gbps 带可选输入均衡器
NB7VQ14M是一款高性能差分1：4 CML扇出缓冲器，带有可选的均衡器接收器。当串联时钟/数据路径分别工作在8 GHz或14 Gb / s时，NB7VQ1
NBA3N011S 3.3 V汽车级LVDS驱动器
NBA3N011S是一款低压差分信号（LVDS）驱动器，适用于低功耗和高数据速率应用。该器件接受LVCMOS / TTL输入并将其转换为LVDS，旨在支持高于
NBA3N012C 3.3 V汽车级LVDS线路接收器
NBA3N012C是一款单节LVCMOS输出差分线路接收器，适用于低功耗和高数据速率的汽车应用。该器件经过优化，可支持高于400 Mbps（200 MHz）的
NL7WB66 双SPST模拟开关
NL7WB66是一个非常低的R ON 双SPST模拟开关。 R ON 在5.0v时为5.0Ω（典型值）。该器件采用非常受欢迎的低成本US8封装。它被设计为
NLAS3899 模拟开关 双DPDT 低RON 低电容
NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，专为低功耗音频和双SIM卡应用而设计。低RON3.0Ω（典型值）非常适合将音频信号路由到中等阻抗负载或从中等高阻抗
NLASB3157 模拟开关 Singe SPDT
NLASB3157是采用硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。它实现了非常低的传播延迟和R DS（ON）电阻，同时保持CMOS低功耗。模拟和数字电压可
FSA2866 交叉点模拟开关
FSA2866是一个双主机，双SIM卡的模拟开关，是专为支持两个特定载波服务（如CDMA和GSM / 3G）的蜂窝手机而设计的。 应用 多媒体平板
NLAST4501 SPST模拟开关单电源 TTL电平
NLAST4501是一款采用亚微米硅栅CMOS技术制造的模拟开关。它实现了非常低的R ON ，同时保持极低的功耗。该器件是双向开关，适用于切换模拟或数字信号
NLPS591 用于显示器的完全可配置的端口伴侣
NLPS591是一款可完全配置的显示应用程序端口伴侣。该器件支持4种外部可选模式：（1）4通道自动检测逻辑电平转换器模式，（2）CRT模式，（3）HDMI模式
MC74VHC1GT66 单电源SPST模拟开关
MC74VHC1GT66是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS双边模拟开关。它实现了高速传播延迟和低导通电阻，同时保持CMOS低功耗。该双向开关控制模拟
FSA2457 双通道DPDT 5 Ohm模拟数据开关
FSA2457是一款双向，低功率，双通道双刀双掷（4PDT）模拟开关，主要用于双通道1位SIM / SD / MMC卡和/或GPS信号多路复用。该器件针对WL
N24S64 具有软件写保护和可编程器件地址的64 Kb I2C CMOS串行EEPROM
N24S64是一款64 Kb串行CMOS EEPROM，内部组织为8,192字，每字8位。它们具有32字节页写缓冲区，支持标准（100 kHz），快速（400
NV24C04WF EEPROM串行4-Kb I
NV24C04是一个EEPROM串行4-Kb I 2 C - 汽车级器件内部组织为32页，每页16字节。该器件支持标准（100 kHz）和快速（400 k
NV24C64WF EEPROM串行64-Kb I.
NV24C64WF是一个EEPROM串行64-Kb I 2 C - 汽车级器件，内部组织为8192字，每个8位，采用小尺寸可湿面板UDNF-8封装。 它具
N34C04 用于DDR4 DIMM的EEPROM串行4-Kb SPD
N34C04是用于DDR4 DIMM的EEPROM串行4-Kb SPD，它实现了DDR4 DIMM的JEDEC JC42.4（EE1004-v）串行存在检测（
N24S64B 具有软件写保护和可编程器件地址的64 Kb I2C CMOS串行EEPROM
N24S64B是一款64 Kb串行CMOS EEPROM，内部组织为8,192字，每字8位。它们具有32字节页写缓冲区，支持标准（100 kHz），快速（40
上一页
3
/
59
下一页
下载APP
搜索内容
