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英飞凌:GaN功率元件前景虽好,但采用为时尚早
2014-01-22
1974
导入Cascode结构 GaN FET打造高效率开关
2014-01-10
1w
将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低
2013-12-18
2596
IR推出高度紧凑的10A AUIR08152S栅级驱动IC
2013-12-10
2017
飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性
2013-12-05
1497
飞兆半导体集成式智能功率级(SPS)模块 具有更高的功率密度和更佳的效率
2013-11-14
2880
揭秘IGBT市场成长的动力来源
2013-11-11
1746
IR针对300W马达功率应用推出半桥式功率模块,扩充µIPM系列
2013-11-04
2091
绿色电源需求攀升 高性能功率器件看俏
2013-10-31
2218
IR 推出配有集成式功率因数校正的三相位逆变器
2013-10-30
1498
美高森美全新650V碳化硅肖特基解决方案 提升大功率应用的系统性能
2013-10-30
1276
IR推出 AUIRF8736M2 车用DirectFET2功率 MOSFET
2013-10-16
1898
恩智浦NextPowerS3可提供带软恢复功能的超快速开关性能的MOSFET
2013-09-24
1066
利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化
2013-09-22
2094
飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖
2013-09-18
1144
美高森美新型较大功率和较高电压MOSFET器件 瞄准RF和宽带通信应用
2013-09-16
1200
中国首件自主设计大功率IGBT芯片通过鉴定
2013-09-13
2299
兼顾高耐压与低Vce(sat)性能的650V场截止沟槽式IGBT受热捧
2013-08-28
2295
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
2013-08-19
1266
加速线上工具的功率级设计,助力IGBT特性分析功能提升
2013-08-15
1295
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