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世界首家！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
2015-06-25
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Littelfuse推出经AEC-Q101认证的瞬态抑制二极管
2015-06-18
803
Diodes优化互补式MOSFET提升降压转换器功率密度
2015-06-17
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Vishay将展出最新的业内领先技术
2015-06-17
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Vishay高压薄膜扁平片式电阻实现业内领先的精度
2015-06-16
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电源差异化的两大要素：高能效与高可靠性
2015-03-31
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e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS与OptiMOS系列功率MOSFET
2015-03-02
1521
砸30亿美元！英飞凌科技重磅收编美国国际整流器
2015-01-14
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Littelfuse扩大高可靠性瞬态抑制二极管的供货
2014-08-07
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IGBT的崛起——国产功率器件的曙光
2014-08-05
2157
东芝电子携多款功率器件产品参加PCIM 2014
2014-06-06
951
英飞凌：GaN功率元件前景虽好，但采用为时尚早
2014-01-22
1659
飞兆半导体的1200V沟槽型场截止IGBT提供更快速的开关性能和改进的可靠性
2013-12-05
1191
飞兆半导体集成式智能功率级(SPS)模块 具有更高的功率密度和更佳的效率
2013-11-14
2110
绿色电源需求攀升 高性能功率器件看俏
2013-10-31
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美高森美全新650V碳化硅肖特基解决方案 提升大功率应用的系统性能
2013-10-30
951
恩智浦NextPowerS3可提供带软恢复功能的超快速开关性能的MOSFET
2013-09-24
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飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖
2013-09-18
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美高森美新型较大功率和较高电压MOSFET器件 瞄准RF和宽带通信应用
2013-09-16
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中国首件自主设计大功率IGBT芯片通过鉴定
2013-09-13
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