CGHV50200F 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGHV50200F 成为对流散射通信的理想选择；4.4 – 5.0-GHz C 波段卫星通信应用和超视距。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装；输入 440215。
特征
4.4 – 5.0 GHz 操作
180 W 典型 PSAT
11.5 dB 典型功率增益
48% 典型功率效率
50 欧姆内部匹配
应用
对流散射通信
视线之外——BLOS
卫星通信
相关型号
CGHV50200F
CGHV50200F-AMP
CGHV59070F
CGHV59070F-AMP
CGHV59070P
CGHV59350F
CGHV59350F-AMP
CGHV59350P
CGHV60040D-GP4
CGHV60075D5-GP4
CGHV60170D-GP4
CGHV96050F1
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F2
CGHV96050F2-AMP
CGHV96100F2
CGHV96100F2-AMP
CGHV96130F
CMPA0060002D
CMPA0060002F
CMPA0060002F1
CMPA0060002F1-AMP
CMPA0060002F-AMP
CMPA0060025D
CMPA0060025F
CMPA0060025F1
CMPA0060025F1-AMP
CMPA0060025F-AMP
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1