**产品简介：**
AUIRFR5505TR-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，封装为 TO252。此 MOSFET 具有低导通电阻和较高的耐压，专为负载开关和电源管理应用设计，适用于需要高电流和负电压的环境。
**详细参数说明：**
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: -60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 58mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -35A
- **技术**: 沟槽技术（Trench）
**应用领域及模块示例：**
1. **负载开关**: AUIRFR5505TR-VB 在负载开关应用中表现出色，可用于低电压和高电流的开关场合，如电源开关和负载控制器，以减少功耗和提高效率。
2. **电源转换器**: 该 MOSFET 的低导通电阻使其非常适合用于电源转换器中，特别是在要求较高负载电流的应用场景，如 DC-DC 转换器中的低侧开关。
3. **电机驱动电路**: 在电机驱动系统中，该 P 沟道 MOSFET 可用于电机的高效控制和保护，特别是用于高电流电机的反向电流保护和电流限制。