### 产品简介
**型号**: B260L-VB
**封装**: TO263
**配置**: 单极性N沟道MOSFET
**耐压**: 60V
**门源电压**: ±20V
**阈值电压**: 3V
**导通电阻**:
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V
- 3.2mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏电流**: 210A
**技术**: 沟槽型
### 详细参数说明
- **型号**: B260L-VB
- **封装类型**: TO263
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 60V
- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V
- 3.2mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 210A
- **技术类型**: 沟槽型技术
### 应用领域与模块示例
1. **高功率电源转换器**
B260L-VB 的低导通电阻和高电流能力使其适用于高功率电源转换器，提升转换效率并减少能量损耗，适合大功率应用如数据中心电源。
2. **电动汽车充电系统**
该MOSFET 可以用于电动汽车的充电系统中，提供高效的功率开关和电流控制，确保充电过程的稳定性和安全性。
3. **大功率LED驱动**
在大功率LED驱动电路中，B260L-VB 能处理高电流负载，确保LED照明的高效能和长期稳定运行。
4. **电机驱动系统**
由于其高电流处理能力和低导通电阻，B260L-VB 适合用于电机驱动系统中，提供可靠的开关功能和优化电机性能。