### 产品简介
**B2618L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用沟槽工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力，适合高效率和高功率的电子应用。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 11mΩ @ VGS = 10V
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**：75A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **电源开关**：B2618L-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源开关，能够提高电源转换效率，减少功耗和发热。
2. **DC-DC 转换器**：在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 能够处理较高电流和电压，减少功率损耗，提高转换效率，适合高效能要求的电源系统。
3. **电动汽车**：用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块，能够处理高电流负载，提高系统的可靠性和性能。
4. **工业控制**：在工业控制系统中，该 MOSFET 适用于高电流开关应用，提供稳定的电流控制，增强系统的整体效率和耐用性。