### 产品简介
B25NM50N-VB 是一款高电压、高性能单极 N 通道 MOSFET，封装为 TO263。它采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有 500V 的漏极源极电压（VDS）和 30A 的连续漏极电流（ID）。该 MOSFET 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 140mΩ，适合高电压和高功率应用。阈值电压（Vth）为 3.5V，VGS 范围为 ±30V，确保在各种电压条件下的稳定性和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: B25NM50N-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 140mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
B25NM50N-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高电压电源管理**: 用于高电压电源转换器和电源模块中，提供高电压耐受能力和稳定的开关性能。
2. **开关电源**: 在高电压开关电源中作为关键开关元件，处理高电压电流以保证系统稳定运行。
3. **功率逆变器**: 用于功率逆变器系统中，帮助高效地将直流电转换为交流电，适用于光伏发电和其他高功率应用。
4. **工业控制**: 在各种工业控制系统中作为高电压开关，提供高效的控制和保护功能。