### 产品简介
AUIRFR8401TRR-VB 是一款采用 TO252 封装的单极性 N 沟道 MOSFET，具有高达 40V 的漏源电压和 120A 的连续漏电流能力。该 MOSFET 使用 Trench 技术，具有极低的 RDS(ON) 值，适用于高电流和高效率开关应用。
### 参数说明
- **型号**：AUIRFR8401TRR-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单极性 N 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：20V (±)
- **栅源阈值电压 (Vth)**：3V
- **RDS(ON)**：3mΩ (VGS = 4.5V)，1.6mΩ (VGS = 10V)
- **漏电流 (ID)**：120A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
AUIRFR8401TRR-VB 的高电流承载能力和极低的导通电阻使其非常适合用于高功率密度的应用。例如，在电动汽车的动力系统中，它能够处理高电流，提升整体系统的效率；在服务器电源管理中，它可用于优化电源的开关性能，降低功耗；在大型工业电源模块中，它能够提供可靠的高电流开关能力，保证系统的稳定性和高效运行。