AUIRFS3004-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUIRFS3004-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

AUIRFS3004-VB 是一款高电流 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 封装,设计用于高功率和高效率的电力电子应用。该 MOSFET 支持高达 40V 的漏源电压,具备极低的导通电阻和高电流承载能力,适合需要高功率处理和高效能的应用场景。

### 详细参数说明

- **型号**: AUIRFS3004-VB
- **封装**: TO-263
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1.68mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 280A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域与模块

AUIRFS3004-VB MOSFET 在以下领域和模块中表现出色:

1. **电源管理系统**:其低导通电阻和高电流能力使其在电源转换器和高功率电源模块中表现优异,能够有效提高系统效率和降低能量损耗。

2. **电动汽车**:适用于电动汽车的高电流电池管理系统和功率转换模块,为电动驱动系统提供稳定的电流控制和高效能支持。

3. **电机驱动**:在高功率电机驱动器和变频器中,MOSFET 的高电流处理能力和低 RDS(ON) 特性提供了高效能的开关控制,支持电机的平稳运行。

4. **开关电源**:在开关电源和高效 DC-DC 转换器中,AUIRFS3004-VB 的极低导通电阻帮助提高转换效率,减少功率损耗。

5. **高功率应用**:适用于需要高电流的高功率应用,如大功率逆变器和电力分配系统,能够处理大电流而不引起显著的温升或功率损耗。

--- 数据手册 ---