### 产品简介
**AUIRFS3307Z-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO263。采用Trench技术，具备极低的导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于高效能、高电流的应用场景。
### 参数说明
- **型号**: AUIRFS3307Z-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (V_DS)**: 80V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 10mΩ @ V_GS = 4.5V
- 5mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 215A
- **技术**: Trench
### 应用领域及模块
**AUIRFS3307Z-VB** MOSFET 以其低导通电阻和高电流能力，适用于以下领域和模块：
1. **高效能电源管理**：在高电流开关电源和DC-DC转换器中使用，提供极低的功率损耗和高效的电能传输。
2. **电机驱动**：用于电机驱动应用，提供可靠的高电流开关控制，适合大功率电机控制系统。
3. **功率逆变器**：在功率逆变器中作为开关元件，帮助实现高效的电能转换和处理。
4. **电源保护系统**：应用于高电流保护电路中，确保在极端工作条件下的稳定性和安全性。