## 产品简介
AULR120N-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO-252封装。该MOSFET 基于先进的沟槽（Trench）技术，设计用于高电压和中等功率的应用场合。AULR120N-VB 能够在最大100V的漏源极电压和15A的漏极电流条件下稳定运行。其适中的导通电阻和宽泛的栅源极电压范围使其在多种高电压应用中表现优异，提供了可靠的电流控制和高效的能量传输。
## 详细参数说明
- **型号**: AULR120N-VB
- **封装**: TO-252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: 沟槽 (Trench)
## 应用领域和模块举例
AULR120N-VB MOSFET 的应用领域包括：
1. **电源管理**: 在高电压电源管理系统中，如高电压开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，AULR120N-VB 提供了较高的漏源极电压承受能力和可靠的电流控制，确保在高电压条件下的稳定运行。这使得它适合用于要求高电压处理和稳压的电源模块中。
2. **汽车电子**: 该MOSFET 在汽车电子系统中，特别是在高电压电池管理和电机驱动系统中，提供了稳定的电流控制。其高电压承受能力和可靠性使其在汽车系统中能够有效处理高电压电流，提升了汽车电子的性能和安全性。
3. **工业控制**: 在工业控制应用中，AULR120N-VB 用于处理高电压和中等功率的负载，特别是电机驱动和高电压开关控制。其稳定的性能和较低的导通电阻确保了在工业环境下的高效和可靠运行。
4. **消费电子**: 该MOSFET 也适用于高电压的消费电子产品，如高电压LED驱动器和高功率电源模块。其良好的电气性能在高电压操作下提供了可靠的控制和能量传输，提升了消费电子产品的稳定性和性能。
通过这些应用实例，AULR120N-VB MOSFET 显示出在高电压和中等功率需求的应用中的广泛适用性，使其成为多个领域中高要求应用的理想选择。