**1. 产品简介：**
BSC025N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。该器件采用 Trench 技术，具备超低导通电阻和高电流处理能力，非常适合高密度、高性能的电子设计需求。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 时）
- 1.8mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例：**
BSC025N03LS G-VB 适用于高电流密度的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、功率调节模块、电机驱动、LED 驱动电路和高效能电源系统。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源转换和管理中表现卓越，有助于提高系统的能效和可靠性。