### 产品简介
**BSC029N025S G-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，设计用于高电流和高效率应用。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS），支持±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，具有低导通电阻2.5mΩ（VGS=4.5V）和1.8mΩ（VGS=10V），可以承受高达160A的漏电流。MOSFET采用沟槽技术，适用于需要高电流和低损耗的电源和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC029N025S G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 160A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSC029N025S G-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在高效电源转换器和DC-DC转换器中作为开关元件，适合处理大电流负载，提供高效能量转换。
2. **电机驱动**：在高电流电机驱动系统中，用于高效开关电流，能够处理大电流负载并保持低热损耗。
3. **电池管理系统**：用于电池保护和管理，特别是在需要高电流的应用中，确保系统的稳定性和长寿命。
4. **功率转换应用**：在各种功率转换模块中，如逆变器和电力调节器，用于实现高效的功率转换和减少功耗。