**产品简介：**
BSC028N06LS3 G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，适用于中等电压、大电流应用。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 60V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 100A。该 MOSFET 采用沟槽型工艺技术，提供低导通电阻（RDS(ON) 为 5mΩ 在 VGS=4.5V 时，3mΩ 在 VGS=10V 时），适合用于高效能、高功率的开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 60V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 100A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源转换模块**：在 DC-DC 转换器和高效电源管理系统中，BSC028N06LS3 G-VB 的低 RDS(ON) 特性可以显著减少功耗，提高转换效率，适用于需要高功率密度的电源设计。
2. **电动汽车**：用于电动汽车的电机驱动和电池管理系统中，该 MOSFET 能够处理高电流，确保电机和电池的稳定性和性能。
3. **工业控制系统**：在工业设备和电机驱动控制中，BSC028N06LS3 G-VB 的高电流能力和低导通电阻使其成为高负载开关应用的理想选择，提升系统的整体效率和可靠性。