### 产品简介
AULR3110Z-VB 是一款高性能的单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO252。这款 MOSFET 采用了 Trench 技术，能够提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于高电压开关和功率转换应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AULR3110Z-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 栅极电压下: 10.5mΩ
- 10V 栅极电压下: 8.5mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
AULR3110Z-VB 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**：由于其低导通电阻和高电流能力，适合用于高效电源转换和 DC-DC 转换器。
2. **电动汽车**：在电动汽车的功率控制模块中，作为开关 MOSFET 处理高电流负载，提升系统效率和可靠性。
3. **开关电源**：在开关电源系统中，用于高压和大电流开关应用，降低能量损耗。
4. **电池管理系统**：在电池管理系统中作为开关元件，进行电池的过流保护和充电控制。